삼성전자가 3세대 10나노급 8Gb DDR4 D램을 개발했다고 21일 밝혔다.

삼성전자에 따르면 이 램은 초고가의 EUV 장비를 사용하지 않고도 기존 10나노급 D램보다 생산성이 20% 향상됐고 전력효율도 개선됐다.

삼성전자는 금년 하반기에 이 제품을 양산할 것이라고 했다.